Los transistores de efecto de campo (en inglés Field Effect Transistor, FET) son dispositivos semiconductores similares a los transistores bipolares que ya vimos en un artículo anterior.  Pero a diferencia de estos, que básicamente son dispositivos controlados por corriente (una corriente pequeña controla a una grande), los FET son dispositivos controlados por tensión, donde una tensión pequeña permite controlar una gran corriente.

Otra característica distintiva de los FET es que el circuito de entrada consume muy poca corriente, presentando una resistencia muy elevada, lo que los hace especialmente aptos para amplificar señales débiles y para ser empleados en circuitos de bajo consumo. Además, los FET son mas pequeños que los transistores bipolares, lo que los hace ideales para ser incluidos en circuitos integrados.

Existen dos tipos de transistores de efecto de campo, distintos en su estructura y funcionamiento: Los FET de juntura (Junction FET, JFET) y los FET de puerta aislada (Insulated Gate FET, IGFET) mas popularmente conocidos como MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET).

A continuación veremos con mas detalle los tipos JFET (FET de juntura) y MOSFET (FET de puerta aislada)

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